[摘要] 3月22日，副市长张科在松山湖会见了中国科学院院士、中科院半导体研究所所长李树深一行。张科表示，培育一个新的产业关键是要培育龙头企业，希望目前在莞研发十分成熟的碳化硅（SiC）外延晶片能尽快实现规模化量产。
3月22日，副市长张科在松山湖会见了中国科学院院士、中科院半导体研究所所长李树深一行。张科表示，培育一个新的产业关键是要培育龙头企业，希望目前在莞研发十分成熟的碳化硅（SiC）外延晶片能尽快实现规模化量产。
五年内实现超百亿产值
据介绍，东莞市天域半导体科技有限公司（以下简称“天域半导体”）是进行碳化硅（SiC）外延晶片技术研发、生产和销售的企业，天域半导体与中科院半导体研究所合作研发的第三代半导体碳化硅（SiC）外延晶片技术目前已成熟，项目预计在五年内实现超百亿元的产值。
据天域半导体董事长欧阳忠介绍，新一代碳化硅半导体材料与器件在新材料、新能源、节能环保以及武器装备、国家安全等国家重大领域具有重要的战略地位，而的第三代碳化硅外延晶片市场需求量巨大，天域半导体保守估计五年内实现超百亿产值。张科对松山湖企业具有的战略眼光和市场敏锐度给予高度评价。
进军碳化硅器件研发生产
李树深介绍，国内碳化硅器件需求占全球市场的50%，但是目前完全依赖进口，没有自主的生产技术，像天域半导体生产的碳化硅外延片需要出口到国外，由国外生产成器件再出口给中国，这就使得国内在一些重大关键装备上受制于人。
据悉，在过去几年内，天域半导体引进了广东省第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队，还从美国、德国、匈牙利等国家引进了一批的生产设备，并培养了一大批技术人才，目前碳化硅器件产业化制造技术的研发已全面展开。
李树深建议，对于器件产业化技术进行独立研发不是的选择，而是要联合下游对于该类器件具有重要需求的企业一起进行开发，这样一来技术和市场会更有保证。
张科表示，如果能在碳化硅器件上实现进口替代，将具有十分重要的意义，希望企业能够积极开展重大科技专项和高新技术企业的申报工作，也力争成为该产品国际标准的制定者。
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